公开/公告号CN100544051C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-09-23
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN200610170142.8
申请日2006-12-22
分类号H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101);H01L27/10(20060101);H01L27/115(20060101);G11C13/00(20060101);G11C11/56(20060101);G11C16/02(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人韩宏
地址 中国台湾新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 09:03:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-09-23
授权
授权
2007-09-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-07-25
公开
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机译: 用于可变电阻存储阵列的自对准热隔离单元的形成方法
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