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用以形成可变电阻存储阵列中的自对准热绝缘单元的方法

摘要

一种非易失性器件,其具有自对准电阻随机存取存储器件。此器件包括下电极元件,其大致平坦,具有内接触表面。在该元件之上为上电极元件,其与下电极元件隔开。包覆结构延伸至上电极元件与下电极元件之间,且此元件包括侧壁隔离元件,其具有定义大致漏斗状中央凹洞的内表面,其终止于终端边缘以定义中央孔;以及位于侧壁隔离元件与下电极之间的拱腹元件,其具有定义热绝缘单元的内表面,此拱腹内壁呈辐射状地向外与侧壁隔离绝缘终端隔开,使得侧壁隔离终端边缘从拱腹元件内表面辐射地向内突出。电阻随机存取存储元件延伸至下电极元件与上电极元件之间,占据了侧壁隔离元件中央凹洞的至少一部分,并从侧壁隔离终端边缘朝向下电极突出并接触至下电极。在此方室中,此拱腹元件内表面与随机存取存储元件间隔开,以定义邻接于电阻随机存取存储元件的热绝缘单元。

著录项

  • 公开/公告号CN100544051C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200610170142.8

  • 发明设计人 赖二琨;何家骅;谢光宇;

    申请日2006-12-22

  • 分类号H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101);H01L27/10(20060101);H01L27/115(20060101);G11C13/00(20060101);G11C11/56(20060101);G11C16/02(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人韩宏

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-09-23

    授权

    授权

  • 2007-09-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-25

    公开

    公开

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