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公开/公告号CN111859839B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.09.13
原文格式PDF
申请/专利权人 华北电力大学;
申请/专利号CN201910292679.9
发明设计人 程养春;郑夏晖;
申请日2019.04.12
分类号G06F30/39;G06F119/04;
代理机构
代理人
地址 102206 北京市昌平区北农路2号华北电力大学
入库时间 2022-09-26 23:20:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-09-13
授权
发明专利权授予
机译: 导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法及导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法
机译: 防止短路状态的绝缘栅双极型晶体管的保护方法和至少两个串联连接的绝缘栅双极型晶体管的保护方法
机译: 半导体器件,其包括具有绝缘栅双极型晶体管的主元件以及具有电阻器和绝缘栅双极型晶体管的感测元件
机译:MOS沟道(CDC)的反掺杂-一种改善对绝缘栅双极型晶体管锁存的抑制的新技术
机译:优化高绝缘电压绝缘栅双极型晶体管栅驱动器信号传输功能的设计方法
机译:长宽比对沟槽绝缘栅双极型晶体管正向压降的影响
机译:高温栅偏应力下的穿通和非穿通绝缘栅双极型晶体管的行为
机译:绝缘体上的硅双极结型晶体管,用于柔性微波应用。
机译:栅可调本体和表面传导的双极型拓扑绝缘晶体管的量子和经典磁阻
机译:绝缘栅双极型晶体管8英寸关键工艺的开发
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。