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一种采用增强辉光放电复合调制强流脉冲电弧制备的ta-C涂层及制备方法

摘要

本发明属于真空镀膜涂层制备领域,具体涉及一种采用增强辉光放电复合调制强流脉冲电弧制备的ta‑C涂层及制备方法。采用增强辉光放电沉积纯金属作或化合物层为基础层,并通过利用脉冲弧源在调制脉冲高偏压下形成注入层,同时形成ta‑C膜的形核点,促进ta‑C的形核结晶,可有效提升基体与涂层之间的结合力;同时在强流脉冲弧源及调制线圈的作用下的弧光放电中辅助以增强辉光放电技术提供的纯金属作为掺杂金属同时沉积在ta‑C层中,掺杂金属与碳形成碳化物相,并以纳米晶颗粒的形式镶嵌在非晶碳网络结构中,而形成的纳米复合结构中存在大量的纳米晶界,内应力可以通过晶界的扩散或滑移得到释放,可有效提高ta‑C层的结合力。

著录项

  • 公开/公告号CN112030127B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.08.16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 温州职业技术学院;

    申请/专利号CN202010736219.3

  • 发明设计人 郎文昌;

    申请日2020.07.28

  • 分类号C23C14/48(2006.01);C23C14/06(2006.01);C23C14/32(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/14(2006.01);

  • 代理机构温州名创知识产权代理有限公司 33258;

  • 代理人朱海晓

  • 地址 325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器

  • 入库时间 2022-09-26 23:16:11

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