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一种基于半导体纳米线/石墨烯的近红外自驱动光电探测器的构筑方法

摘要

本发明涉及一种基于半导体纳米线/石墨烯的近红外自驱动光电探测器的构筑方法,通过设计几何不对称的半导体纳米线/石墨烯复合结构、利用衬底Ge对石墨烯的掺杂效应,并控制器件退火温度和时间以进行界面优化,该类器件具备显著增强的自驱动特性和光响应灵敏度。该方法成功构筑了对近红外光响应理想的基于半导体纳米线/石墨烯的自驱动光电探测器。

著录项

  • 公开/公告号CN111446333B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010325803.X

  • 发明设计人 崔大祥;蔡葆昉;卢静;金彩虹;

    申请日2020-04-23

  • 分类号H01L31/18(2006.01);H01L31/0352(2006.01);H01L31/0392(2006.01);H01L31/109(2006.01);

  • 代理机构上海东亚专利商标代理有限公司 31208;

  • 代理人董梅

  • 地址 201109 上海市闵行区剑川路468号

  • 入库时间 2022-09-06 00:36:09

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