利用场板达到最佳表面横向通量的横向高压器件

摘要

一种半导体表面的横向耐压区及由其构成的器件。它是一种利用阶梯式场板对半导体表面形成的金属-绝缘层-半导体(MIS)电容来吸收(或注入)电通量于半导体表面，使半导体表面向衬底发出的有效电通量密度接近于最佳分布，从而在最短的表面距离内有最高的耐压。场板可以是浮空的，或联接于浮空场限环。各场板间还可存在耦合电容。