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介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性

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对硅厚膜 BESOI介质隔离横向高压 p- i- n器件的击穿特性作了分析 ,并用计算机进行了模拟 ,从器件的几何图形和隔离偏压方面 ,提出了改善击穿特性的方法 .

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来源
《上海大学学报：自然科学版》 |2001年第2期|109-112|共4页
作者
洪垣;
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作者单位

上海大学理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.401;
关键词
高压p-i-n器件; 介质隔离; 厚膜BESOI; 击穿电压; 功率集成电路; 几何图形; 隔离偏压;

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