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横向高压器件串联结构特性分析

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本文针对横向高压器件LDMOS和UGBT的串联结构特性以及其原理进行了分析和仿真．改进的结构在不影响LIGBT的正向导通特性的前提下，不仅有效抑制了寄生拴锁效应，而且改进了LIGBT的关断特性．通过器件仿真软件MEDICI对改进的器件结构和特性进行了仿真．

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来源
《第十四届全国青年通信学术会议》|2009年|103-105|共3页
会议地点大连
作者
葛一兵; 姜岩峰;
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作者单位

中国通信学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
横向高压器件; 串联结构; 正向导通; 关断特性; 寄生拴锁效应; LIGBT;
入库时间 2022-08-17 10:47:29

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