公开/公告号CN103794653B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201310377546.4
申请日2010-11-29
分类号H01L29/80(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/335(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静洁;贾慧琴
地址 美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园道475号
入库时间 2022-08-23 09:43:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-15
专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/80 登记生效日:20200427 变更前: 变更后: 申请日:20101129
专利申请权、专利权的转移
2016-08-10
授权
授权
2016-08-10
授权
授权
2014-06-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/80 申请日:20101129
实质审查的生效
2014-06-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/80 申请日:20101129
实质审查的生效
2014-05-14
公开
公开
2014-05-14
公开
公开
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机译： 具有高衬底栅击穿和内置雪崩钳位二极管的横向超级结器件
机译： 具有高衬底栅击穿和内置雪崩钳位二极管的横向超级结器件
机译： 具有高衬底-漏极击穿和内置雪崩钳位二极管的横向超级结器件
