制造平面隔离物以及相关的双极晶体管及BiCMOS电路装置的方法

摘要

本发明涉及制造平面隔离物、相关的双极晶体管和相关的BiCMOS电路装置的方法，其中，在牺牲掩模(2)形成后，在基板(1)上形成第一和第二个隔离层(3、4)，并且第一和第二个隔离层结合成一体。为了在第二个隔离层(4)上产生辅助隔离物(4S)，进行第一个各向异性蚀刻过程。然后，为了产生平面隔离物(PS)，借助于辅助隔离物(4S)，进行第二个各向异性蚀刻过程，从而有可能自由选择由此产生的平面隔离物(PS)的高度，其中的平面性可大大简化该过程的后续部分。本发明方法使得制造改善电特性的元件成为可能。