公开/公告号CN113186507B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 上海陛通半导体能源科技股份有限公司;
申请/专利号CN202110754381.2
申请日2021-07-05
分类号C23C14/54;C23C16/52;
代理机构
代理人
地址 201201 上海市浦东新区庆达路315号13幢3F
入库时间 2022-09-06 00:36:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-19
授权
发明专利权授予
机译: 利用相同能力改善沉积均匀性的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置模块
机译: 薄膜沉积的坩埚设备和薄膜沉积装置,包括用于改善沉积在基材上的有机薄膜的均匀性的装置
机译: 沉积时间的优化方法及沉积时间的优化系统