公开/公告号CN112117639B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 全新光电科技股份有限公司;
申请/专利号CN202010567798.3
申请日2020-06-19
分类号H01S5/183;
代理机构北京市立康律师事务所;
代理人梁挥;孟超
地址 中国台湾桃园市
入库时间 2022-09-06 00:36:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-19
授权
发明专利权授予
机译: 半导体器件具有垂直腔表面发射激光器(VCSEL)和集成在其中的保护二极管,并且具有减小的电容以允许VCSEL实现高工作速度
机译: 一种半导体器件,该半导体器件具有垂直腔表面发射激光器(VCSEL)和集成在其中的保护二极管,并且具有减小的电容以允许VCSEL实现高工作速度
机译: 半导体器件具有垂直腔表面发射激光器(VCSEL)和集成在其中的保护二极管,并且具有减小的电容以允许VCSEL实现高工作速度