一种去除TOPCon电池制作的poly-Si绕镀的添加剂及其清洗工艺

摘要

本发明公开了一种去除TOPCon电池制作的poly‑Si绕镀的添加剂及其清洗工艺，按重量百分比，主要包括以下组分：复合型表面活性剂0.01‑1.0％；脱泡剂0.5‑2.0％；络合剂0.3‑1.0％；正面保护剂0.01‑1.0％；反应促进剂0.5‑1.0％；余量为去离子水。本发明提供的一种去除TOPCon电池制作的poly‑Si绕镀的添加剂及其清洗工艺，本发明的添加剂是在碱体系中进行去绕镀清洗，单晶硅在碱液中的腐蚀本身就具有各向异性特征，搭配本发明添加剂的作用，各向异性会进一步放大，能够保证不破坏硅片中间正常绒面的情况下完成整个绕镀层的清洗。