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张建军; 吴春亚; 李俊峰;
无;
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机译:Si / sio_2 / ge(ncs)/ poly-si结构中嵌入的Ge纳米晶体对poly-si的选择性氧化,用于存储器件的制造
机译:TiN膜厚变化对Poly-Si / TiN / SiO {sub} 2和Poly-Si / TiN / HfSiON栅堆叠有效功函数的影响
机译:使用PVD / CVD堆叠锡和局部应变技术先进的Poly-Si NMIS和Poly-Si / TiN PMIS Hybrid-KCMIS
机译:在二氧化硅(SiO(2))上直接离子束沉积多晶硅(poly-Si)的计算机模拟。
机译:横向晶界降低Poly-Si 1T-DRAM的性能变化分析
机译:Limn(2)O(4)/石墨基锂离子可充电袋电池的制作工艺
机译:形成poly-si图案和包含poly-si图案的多层交叉点电阻存储器的方法及其制造方法
机译:应用了POLY-SI膜的POLY-SI膜和半导体器件
机译:声源探索系统,声源探索方法和声源探索程序
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