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公开/公告号CN112059345B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-15
原文格式PDF
申请/专利权人 宁波江丰电子材料股份有限公司;
申请/专利号CN202010895263.9
发明设计人 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;章丽娜;
申请日2020-08-31
分类号B23K1/00;B23K1/20;B23K3/00;B23K3/08;
代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司;
代理人王岩
地址 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
入库时间 2022-09-06 00:34:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-15
授权
发明专利权授予
机译: 高纯Ni-V合金,靶材,高纯Ni-V合金薄膜和生产高纯Ni-V合金的方法
机译: 高纯ha,包含高纯ha的靶材和薄膜以及生产高纯ha的方法
机译: 高纯Ni-V合金,由其制得的靶材,高纯Ni-V合金薄膜和生产高纯Ni-V合金的方法
机译:5N高纯铝靶材的组织,织构和溅射性能研究
机译:通过磁控溅射由纯铝和铝硼靶材制造的薄膜的纳米力学性能
机译:高纯钛靶材表面处理方法的发展
机译:在DQE测量中使用具有不同加工方法的高纯铝过滤器
机译:无氧高电导率铜和7039铝靶材的弹道穿孔:微观结构和液压编码研究。
机译:电磁悬浮气凝固(ELGC)高纯铝纳米粒子(AL-NPS)的实验分析与表征
机译:高纯钨合金靶材的制备研究
机译:火花源质谱法测定高纯铝金属中的硼。实验室方法No.5 / 11