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采用光刻和干刻制造碳纳米管多层图案的方法

摘要

本发明涉及形成CNT多层膜图案的方法,该方法包括通过酰胺键重复地将具有曝露的羧基基团的CNTs结合到具有曝露的胺基基团的衬底上,获得CNT多层膜,然后从CNT多层膜通过光刻法和干刻法形成CNT多层膜图案。此外,本发明涉及将具有曝露的各种化学官能团的CNT多层膜图案的制造方法,该方法包括对前述方法获得的CNT多层膜图案进行热处理,获得表面无缺陷点位存在的CNT多层膜图案,然后将表面活性剂或具有能进行π-重叠的部位的化学物质物理结合到无缺陷点位存在的CNT多层膜图案上。本发明使得CNTs仅在所选择的区域发生连接形成清楚的CNT多层膜图案成为可能。因此,本发明提供了现有技术中存在的CNTs也被结合到非选择性区域的问题的解决方案。此外,结合了曝露于表面的化学官能团的本发明CNT多层膜图案将被用于制造生物传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN100520586C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 韩国科学技术院;

    申请/专利号CN200410085905.X

  • 申请日2004-10-25

  • 分类号G03F7/20(20060101);C01B31/02(20060101);

  • 代理机构72003 隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人高龙鑫;邓键梁

  • 地址 韩国大田广域市

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 授权公告日:20090729 终止日期:20121025 申请日:20041025

    专利权的终止

  • 2009-07-29

    授权

    授权

  • 2005-11-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-09-28

    公开

    公开

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