制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法

摘要

一种制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法，包括：在衬底上依次外延N-GaN层、有源层和P-GaN层，形成GaN基LED的材料结构；在GaN基LED的材料结构上的P-GaN层上生长ITO层；在ITO层上淀积一层SiO₂掩蔽层；腐蚀掉部分SiO₂掩蔽层，暴露需要刻蚀的ITO层；刻蚀暴露出的ITO层，形成GaN基LED的台面结构；去除剩余的SiO₂掩蔽层；在ITO层上光刻并制作出二维光子晶体结构；在GaN基LED的台面结构上用光刻和电子束蒸发制作出N-GaN电极；对N-GaN电极进行合金化处理；最后在ITO层和N-GaN电极上，采用光刻和电子束蒸发的方法制作加厚电极，完成器件的制作。