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场效应晶体管和单电子晶体管及利用它们的传感器

摘要

在具有配备了基板(2)、设置于基板(2)上的源电极(4)和漏电极(5)、以及成为源电极(4)与漏电极(5)之间的电流通路的沟道(6)的场效应晶体管(1A),用于检测出检测对象物质的传感器中,场效应晶体管(1A)通过构成为具有用于固定与检测对象物质有选择地进行相互作用的特定物质(10)的相互作用感知栅(9)和为了检测相互作用作为场效应晶体管(1A)的特性的变化而施加电压的栅(7),提供了一种要求高灵敏度的检测灵敏度的检测对象物质的检测成为可能的传感器。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N27/414 授权公告日:20090722 终止日期:20190827 申请日:20040827

    专利权的终止

  • 2009-07-22

    授权

    授权

  • 2009-07-22

    授权

    授权

  • 2006-12-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-10-04

    公开

    公开

  • 2006-10-04

    公开

    公开

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