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单电子晶体管、场效应晶体管、传感器、传感器的制造方法及检测方法

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摘要

本发明涉及至少具有衬底(1)、与该衬底(1)的上部对置而设置的源极(3)和漏极(4)、设置在该源极(3)和漏极(4)之间的沟道的单电子晶体管，通过以超微细纤维(CNT)(7)构成所述沟道，提供具有优异的灵敏度的传感器。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N27/00 授权公告日:20110420 终止日期:20190521 申请日:20040521

专利权的终止
2011-04-20

授权

授权
2006-08-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-06-28

公开

公开

1. 单电子晶体管、场效应晶体管、传感器、传感器的制造方法及检测方法 [P] . 中国专利： CN1795376A . 2006-06-28
2. 场效应晶体管和单电子晶体管及利用它们的传感器 [P] . 中国专利： CN1842704A . 2006-10-04
3. Single-electron transistor, field-effect transistor, sensor, method for producing sensor, and sensing method [P] . 美国专利： US7935989B2 . 2011-05-03

机译：单电子晶体管，场效应晶体管，传感器，传感器的制造方法以及感测方法
4. SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SENSOR, METHOD FOR PRODUCING SENSOR, AND SENSING METHOD [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1645871A4 . 2011-02-23

机译：单电子晶体管，场效应晶体管，传感器，传感器的制造方法以及传感方法
5. Single-electron transistor, field-effect transistor, sensor, method for producing sensor, and sensing method [P] . 美国专利： US2006273356A1 . 2006-12-07

机译：单电子晶体管，场效应晶体管，传感器，传感器的制造方法以及感测方法