锗硅异质结低正向压降高速二极管

摘要

本发明给出了一种新结构的SiGe异质结低V_F高速二极管，其特征在于它采用SiGe多晶、SiGe赝晶、Si单晶多层结构，从而使PN结的V_F大大减小；当SiGe多晶中Ge组份足够大时，使本发明成为多子器件。本发明具有低V_F，高的开关速度和工作频率等优点。本发明还给出了SiGe多晶中Ge组份的选取原则及本发明二极管中各层的设计原则。本发明器件工艺简单、重复性好，适合于工业化大生产。是一种性能好、实用性强的新型高速二极管。