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具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法。在MgO基板的一面沉积一层缓冲层导电电极LNO薄膜,在缓冲层导电电极LNO薄膜上再沉积一层钙钛矿相PST薄膜。其步骤如下:首先以碳酸锂,氧化镍,碳酸铅,碳酸锶,氧化钛为原料,用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和钛酸锶铅靶材;其次将(001)MgO基板清洗后放入反应室,反应室抽真空,并加热基板,以氧气为保护气体,引入反应室中,脉冲激光溅射靶材,在基板上先后外延沉积镍酸锂缓冲层和钛酸锶铅薄膜。本发明制备方法简单,制得的钛酸锶铅薄膜外延性好,质量高,薄膜的介电可调性可达40%到70%。

著录项

  • 公开/公告号CN100526522C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN200710068448.7

  • 申请日2007-04-30

  • 分类号C30B29/32(20060101);C30B23/02(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人林怀禹

  • 地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-19

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/32 授权公告日:20090812 终止日期:20120430 申请日:20070430

    专利权的终止

  • 2009-08-12

    授权

    授权

  • 2008-04-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-13

    公开

    公开

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