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一种高电阻率、高压电活性钛酸铋钙基高温压电陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高电阻率、高压电活性钛酸铋钙基高温压电陶瓷及其制备方法,采用CaBi4Ti4O15体系压电材料为基础,在Ti位按照一定的摩尔比掺入Mn、Ta,采用固相合成方法,制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料,该压电陶瓷材料的通式为CaBi4Ti4‑x(Mn1/3Ta2/3)xO12,其中0

著录项

  • 公开/公告号CN110698195B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201911096777.1

  • 申请日2019-11-12

  • 分类号C04B35/475;C04B41/88;

  • 代理机构浙江永鼎律师事务所;

  • 代理人陆永强

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区

  • 入库时间 2022-08-23 13:40:34

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