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公开/公告号CN110698195B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN201911096777.1
发明设计人 郑鹏;刘洋;白王峰;郑辉;郑梁;张阳;
申请日2019-11-12
分类号C04B35/475;C04B41/88;
代理机构浙江永鼎律师事务所;
代理人陆永强
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区
入库时间 2022-08-23 13:40:34
机译: 高压电电荷系数的钛酸铋铋陶瓷(SRBI4TI4O15)的制备方法
机译: 具有高介电性能的无铅薄钙钛矿钛酸铋钠(NABITIO)薄膜的制备方法
机译:利用脉冲强磁场和模板晶粒生长制备晶粒取向钛酸铋钠基无铅压电陶瓷
机译:通过热压烧结实现钛酸铋基压电陶瓷的高电性能
机译:水性凝胶铸造制备钛酸铋钠基无铅压电陶瓷
机译:铋基钙钛矿中场致相变:一种无铅高应变压电陶瓷的新方法
机译:传感器应用钛酸铋钠基压电陶瓷的加工和性能。