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半导体结构及虚拟图案布局的设计方法

摘要

本发明公开一种半导体结构及虚拟图案布局的设计方法,该半导体结构包括基底、多个虚拟导电结构与多个电阻元件。基底包括电阻区,且具有位于电阻区中的多个隔离结构与多个虚拟支撑图案。每个隔离结构位于相邻两个虚拟支撑图案之间。每个虚拟导电结构设置于每个隔离结构上且与两侧的虚拟支撑图案等距。电阻元件设置于虚拟导电结构上方且对准虚拟导电结构。该半导体结构可防止低图案密度区中的虚拟导电结构与密集区中的导电结构产生桥接。

著录项

  • 公开/公告号CN109411465B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201710706341.4

  • 发明设计人 卢瑞发;林建男;叶璟桦;

    申请日2017-08-17

  • 分类号H01L27/02;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陈小雯

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 13:28:58

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