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X射线光刻掩模版的制备方法

摘要

本发明涉及一种X射线光刻掩模版的制备方法,属光刻掩模版制造技术领域。本发明主要采用热丝化学气相沉积法沉积的金刚石薄膜作为X射线光刻掩模基膜材料,并通过改进的工艺参数和后期处理工艺,改善金刚石薄膜的性能,提高金刚石薄膜的光学透过率和表面平整度。通过对硅片的预处理、金刚石薄膜的沉积、去除部分硅片开出圆形透光宽口并形成硅支撑以及金刚石薄膜上贴附一层重金属金膜层,最终制成具有掩模曝光图形的掩模板。

著录项

  • 公开/公告号CN100510957C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN200610030241.6

  • 申请日2006-08-21

  • 分类号G03F1/14(20060101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/14 授权公告日:20090708 终止日期:20120821 申请日:20060821

    专利权的终止

  • 2009-07-08

    授权

    授权

  • 2007-04-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-02-07

    公开

    公开

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