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公开/公告号CN100479113C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-15
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200510091335.X
发明设计人 金润奭;金宗杓;林夏珍;朴哉彦;丁炯硕;李钟镐;梁钟虎;
申请日2005-05-16
分类号H01L21/316(20060101);H01L21/304(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/40(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:02:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-04-15
授权
2006-04-12
实质审查的生效
2006-02-15
公开
机译: 使用原子层沉积技术制造金属硅酸盐层的方法
机译: 金属硅酸盐层的制造方法以及使用该金属硅酸盐层的半导体装置的方法
机译: 利用原子层沉积技术制造金属硅酸盐层的方法
机译:使用原子层沉积工艺制造的电容式微加工超声换能器的模型研究。
机译:使用兼容CMOS的柠檬酸蚀刻工艺制造$ hbox {La} _ {0.7} hbox {Sr} _ {0.3} hbox {MnO} _ {3} $ – Si异质结
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