采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法

摘要

一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEMT的源漏电极；高温退火；光刻出HEMT栅槽图形刻蚀掉部分重掺杂帽层；在器件表面淀积生长一层钝化介质层；光刻出HEMT的栅电极图形生成TiPtAu金属作为HEMT器件的栅电极；光刻出引线孔；光刻出引线互连区域，蒸发或溅射厚TiAlTiAu金属电极，去胶剥离。