公开/公告号CN100485890C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-05-06
原文格式PDF
申请/专利权人 友达光电股份有限公司;
申请/专利号CN200510099208.4
发明设计人 丁进国;
申请日2005-09-09
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/268(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人李树明
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:02:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-05-06
授权
授权
2008-03-12
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080215 申请日:20050909
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2007-05-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-03-14
公开
公开
机译: 具有超微晶层的机械零件通过超微晶层形成方法和用于制造机械零件的机械零件制造方法形成超微晶层形成方法,以及纳米晶体层形成方法,由纳米晶层形成的具有纳米晶层的机械零件用于制造机械零件的成型方法和机械零件制造方法
机译: 超微晶层形成方法,通过超微晶层形成方法产生的具有超微晶层的机械零件,以及用于制造机械零件的机械零件制造方法以及纳米晶层形成方法,该机械零件包括:通过纳米晶体层形成方法生产的纳米晶体层,以及用于制造机械零件的机械部件制造方法
机译: 使用第一和第二导电类型的非单晶半导体层以及非晶和微晶I型半导体层制造半导体元件的方法