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薄膜电晶体制造方法及将非晶层转成复晶层或单晶层方法

摘要

本发明提供一种薄膜电晶体的制造方法。首先,形成一缓冲层于基板上,并形成一第一单晶层于缓冲层上。其后,形成一非晶层于第一单晶层上,以一激光退火方法,将非晶层转换成一结晶层。该结晶层为一复晶层或第二单晶层;接着,形成一闸极介电层于复晶层上。后续,形成一闸电极于闸极介电层上。本发明的薄膜电晶体适用于液晶显示器。可提升薄膜电晶体元件的电子移动率,并且可以缩短传统使用分子束磊晶沉积单晶硅的时间。

著录项

  • 公开/公告号CN100485890C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 友达光电股份有限公司;

    申请/专利号CN200510099208.4

  • 发明设计人 丁进国;

    申请日2005-09-09

  • 分类号H01L21/336(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/268(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人李树明

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-05-06

    授权

    授权

  • 2008-03-12

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080215 申请日:20050909

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2007-05-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-03-14

    公开

    公开

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