一种具有低起始电位的光阳极材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种如式CdSxSeyTe1‑x‑y所示的具有低起始电位的光阳极材料，由CdSe1‑zTez@CdS核壳纳米线制备得到；本申请还提供了光阳极材料的制备方法。本发明提供的光阳极材料通过调节不同带隙半导体的比例，可以精确地调节合金化半导体材料的能带结构，进而实现对光阳极的平带电位和光电压的精确调控，从而使阳极光电流的起始电位负移。该发明为设计开发具有高性能的光阳极纳米材料提供了一条新的途径。