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公开/公告号CN113890031B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司;
申请/专利号CN202111439236.1
发明设计人 王霄鹤;谢瑞;傅春翔;杨文斌;陈晴;陈雨薇;夏冰清;殷贵;
申请日2021-11-30
分类号H02J3/00(20060101);H02J3/36(20060101);H02M1/32(20070101);
代理机构33100 浙江杭州金通专利事务所有限公司;
代理人刘晓春
地址 310014 浙江省杭州市潮王路22号
入库时间 2022-08-23 13:10:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
授权
发明专利权授予
机译: IGBT用硅单晶硅片,IGBT用硅单晶硅片的制造方法和IGBT用硅单晶硅片的电阻率确定方法
机译: 安全工作区能力得到提高的IGBT阴极设计
机译: IGBT阴极设计具有改进的安全工作区能力
机译:大功率IGBT模块基于三维安全工作区的短路故障模式研究与分类
机译:具有较宽安全工作区域的新型侧向IGBT结构
机译:自限模式``SSCM''-电力高压IGBT和二极管安全工作区特性的突破
机译:基于系统安全工作区的背靠背IGBT转换器的优化设计
机译:用于低成本惯性导航的紧密集成的姿态确定方法:两天线GPS和GPS /磁力计。
机译:当浸入5个水浴温度中时与电温度计连接的热电偶的响应
机译:基于n-HfNiSn的电阻温度计和热电温度计的热电偶的预测与实现
机译:推扫式微波辐射计(pBmR)的热电温度控制系统