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自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法

摘要

一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法,自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括:衬底;缓冲欧姆接触层,形成于所述衬底上;发射极层,形成于所述缓冲欧姆接触层上;所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格;微制冷区,形成于所述发射极层上;所述微制冷区由下到上依次包括AlxGa1‑xSb势垒、InAs量子阱和GaSb势垒,其中,0.5<x<1;超晶格制冷区,形成于所述微制冷区上;所述超晶格制冷区包括InAs/GaSb本征二类超晶格;集电极层,形成于所述超晶格制冷区上。本发明使得锑化物超晶格红外探测器能在更高的温度下工作,提高锑化物超晶格红外探测器的工作性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111477717B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN202010341299.2

  • 发明设计人 聂碧颖;马文全;黄建亮;张艳华;

    申请日2020-04-26

  • 分类号H01L31/11(20060101);H01L31/024(20140101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴梦圆

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 13:06:02

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