公开/公告号CN111477717B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202010341299.2
申请日2020-04-26
分类号H01L31/11(20060101);H01L31/024(20140101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 13:06:02
机译: 硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译: 包括N型超晶格和P型超晶格的电子设备
机译: 包括n型超晶格和p型超晶格的电子设备