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公开/公告号CN113846304B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN202111419111.2
发明设计人 程厚义;赵巍胜;张博宇;姚宇暄;柳洋;
申请日2021-11-26
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/54(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人韩嫚嫚;钱能
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2022-08-23 13:05:28
机译: 多靶磁控溅射系统中的镀层方法
机译: 磁控溅射装置包括可相对移动的靶和磁系统
机译:Zr和O对磁控溅射TiC _(0.5)+ ZrO _2和(Ti,Zr)C _(0.5)+ ZrO _2复合靶的磁控溅射沉积TiC(N)涂层结构和性能的影响
机译:直流反应磁控溅射涂层沉积钛靶中间离子清洁钛靶对涂层沉积沉积结构的影响
机译:反应靶磁控溅射热靶合成氧化铜膜的组成与结构
机译:磁控溅射型离子靶磁控溅射离子源生产氮化铝离子
机译:Algan / Gan Hemt磁控溅射系统。
机译:N2分压对液靶反应磁控溅射外延沉积GaN纳米棒生长结构和光学性能的影响
机译:Cu 4O3通过从氧化铜靶溅射的非反应性RF-磁控溅射沉积的薄膜
机译:等离子体诊断研究过程变量对射频磁控溅射过程中从(1-x)Li4siO4:(x)Li3pO4靶射出的原子和分子种类的影响。