The University of Texas Rio Grande Valley.;
机译:磁控反应溅射合成p型NiO栅的AlGaN / GaN HEMT中的正阈值电压漂移
机译:采用溅射的基于TaN的电极和HfO_2栅绝缘体的AlGaN / GaN MOS-HEMTs-on-Si
机译:采用射频溅射HfO_2栅极绝缘体的高导通/截止电流比AlGaN / GaN MOS-HEMT
机译:AlGaN / GaN MOS-HEMTS使用RF磁控溅射SiO_2栅极绝缘体和退火处理
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明