公开/公告号CN111524962B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院;
申请/专利号CN202010354969.4
申请日2020-04-29
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人敖欢
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 13:04:55
机译: 具有降低的峰值局部电流密度的互连结构以及在半导体器件中制造互连级的方法
机译: 具有降低的峰值局部电流密度的互连结构以及在半导体器件中制造互连级的方法
机译: 形成纳米线的方法,形成叠层结构的纳米线以及使用其制造垂直半导体器件和互连结构的方法以及包括其的垂直半导体器件和互连结构