可调控荧光波长的Ⅱ－Ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法

摘要

本发明公开了一种可调控荧光波长的II-VI族半导体核壳量子点的制备方法，该方法是在采用交替离子注入技术包覆CdSe量子点的基础上，将制备好的CdSe核量子点在高温下暴露于空气中，根据暴露时间实现对核量子点荧光进行调控，然后在无水无氧反应氛围下实现包覆。在温度一定条件下，核CdSe样品与大气接触时间越长，核量子点荧光波长越短。本发明的优点是：简化了核量子点的制备，只需单一发红光量子点核作为原料，就能包覆出分别发射红、黄、绿荧光的核壳量子点；虽然核量子点荧光蓝移后出现缺陷态发光，但在包覆CdS后，缺陷态发光可基本消除。