公开/公告号CN112906540B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 北京科技大学;
申请/专利号CN202110172208.1
申请日2021-02-08
分类号G06V20/69(20220101);G06V10/20(20220101);G06V10/82(20220101);G06V10/46(20220101);G06N3/04(20060101);
代理机构11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王颖
地址 100083 北京市海淀区学院路30号
入库时间 2022-08-23 13:03:26
机译: 具有单晶特性的三角形衬底上的菱面体立方半导体材料以及基于这种材料的器件
机译: 具有单晶特性的三角形衬底上的菱面体立方半导体材料以及基于这种材料的器件
机译: Si衬底上基于Ⅲ族氮化物的epi的生长方法及半导体衬底