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公开/公告号CN111987181B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学(深圳);
申请/专利号CN202010893234.9
发明设计人 曹峰;魏东;张倩;伍作徐;刘一杰;
申请日2020-08-31
分类号H01L31/055(20140101);H01L31/18(20060101);
代理机构44451 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人黎健任
地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
入库时间 2022-08-23 13:00:07
机译: 用于中红外光谱范围的异质结构,以及基于该异质结构的发光二极管和光电二极管的制造方法
机译: 基于外延结晶硅薄膜的异质结太阳能电池在冶金硅基质设计中的应用
机译: 基于外延晶体硅薄膜的异质结太阳能电池在冶金硅衬底上的设计
机译:光谱技术在表征半导体异质结构和纳米结构以及基于半导体的薄膜太阳能电池中的弹性应变效应中的应用
机译:基于一维,一维,一维光子晶体异质结构的薄膜偏振器
机译:应用薄膜硅技术制造的高效异质结晶体硅太阳能电池及分光结构
机译:宽间隙和低电阻异质结构SICX薄膜薄膜宽间隙窗口的异质结太阳能电池
机译:基于DNA的薄膜作为整体异质结聚合物太阳能电池中的空穴传输层
机译:用于异质结太阳能电池的基于富勒烯的光敏层:结构吸收光谱和电荷转移过程
机译:基于一维三维一维光子晶体异质结构的薄膜偏振器
机译:光谱化学分析,光谱学,分光光度计,分光光度法,光度法,反射计,比色法,三刺激色,色谱法