公开/公告号CN111864054B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-24
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN202010644724.5
申请日2020-07-07
分类号H01L41/332(20130101);H01L41/337(20130101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郝传鑫;贾允
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 12:59:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L41/332 专利号:ZL2020106447245 登记生效日:20220223 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变更后权利人:上海新硅聚合半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号 变更后权利人:201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
专利申请权、专利权的转移
机译: 单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底
机译: 单晶碳化硅衬底的表面重整方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,离子注入和退火方法,以及单晶碳化硅衬底和单晶硅碳化硅衬底
机译: 包括在氧化铝单晶衬底的表面上形成的超导薄膜的超导体以及在氧化铝单晶衬底的表面上形成超导薄膜的方法