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一种氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化石墨烯上生长碳纳米片矩阵衍生碳纳米复合材料的制备方法。该方法包括:由氧化石墨烯、三聚氯氰和哌嗪通过溶液回流法得到具有矩阵结构的纳米复合材料前驱体,然后碳化。该方法设计简单,前驱体制备容易,一步碳化制备得到具有矩阵结构的碳纳米复合材料,解决了传统碳材料结构单一,易于团聚的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN109592676B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东华大学;

    申请/专利号CN201811532770.5

  • 发明设计人 张超;陈山;刘天西;郑勇;

    申请日2018-12-14

  • 分类号C01B32/198(20170101);C01B32/15(20170101);H01M4/96(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人黄志达;魏峯

  • 地址 201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号

  • 入库时间 2022-08-23 12:59:09

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