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一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法

摘要

本申请提供一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法,包括以下步骤:获取晶圆,所述晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆;对所述晶圆进行还原性离子注入处理,获得注入还原性离子的晶圆;将所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理。该方法基于离子注入进行晶圆黑化,能够在不影响材料压电性能的情况下,获得高质量黑化晶圆。该方法利用离子注入技术,将Fe2+等还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆,Fe2+等的注入会占据晶格中原本更高价态离子的格点,增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度,使晶圆内的载流子浓度提升,进而提高晶圆的电导率,降低电阻率,随后对晶圆进行退火修复,能够有效降低晶体的热释电效应。

著录项

  • 公开/公告号CN111799364B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010602379.9

  • 发明设计人 欧欣;孙嘉良;游天桂;林家杰;

    申请日2020-06-29

  • 分类号H01L41/253(20130101);H01L41/22(20130101);

  • 代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人郝传鑫;贾允

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 12:58:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L41/253 专利号:ZL2020106023799 登记生效日:20220223 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变更后权利人:上海新硅聚合半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号 变更后权利人:201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J

    专利申请权、专利权的转移

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