一种AlGaInP发光二极管芯片结构

摘要

本发明涉及半导体发光器件领域，尤其是涉及一种AlGaInP发光二极管结构。本发明采用N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6)代替N型GaAs欧姆接触层。GaxIn1‑xP(0.4≤x≤0.6)材料与GaAs衬底具有很好的晶格匹配性，禁带宽度较大，对红光有较好的透明性，并且与GaAs有很好的选择腐蚀性，在制造芯片过程中也可以看到P面的图形而无需开窗工艺。而且，通过合理的掺杂设计，可以很好的与N电极形成良好的欧姆接触，保证较低的工作电压。在外延生长过程中，可在缓冲层生长后直接生长N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6)，然后生长N型层，与现有工艺相比更加简单，成本更低。