具有提供晕圈注入峰值限制的超晶格层的半导体装置和相关方法

摘要

半导体装置可以包括半导体衬底和在半导体衬底上的多个场效应晶体管(FET)。每个FET可以包括：栅极；在栅极的相对侧上的间隔开的源极区和漏极区；垂直堆叠的上超晶格层和下超晶格层以及在源极区和漏极区之间的上超晶格层和下超晶格层之间的体半导体层；以及晕圈注入部，具有垂直限制在上超晶格和下超晶格之间的体半导体层中的峰值浓度。