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公开/公告号CN110292712B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 鲍玉珍;
申请/专利号CN201910605678.5
发明设计人 鲍玉珍;
申请日2019-07-05
分类号A61N5/00(20060101);
代理机构11920 北京卓爱普专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王玉松;刘青
地址 100094 北京市海淀区遗光寺八号院北区2号楼四单元201室
入库时间 2022-08-23 12:58:18
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 光电导电池,太赫兹波产生装置,太赫兹波检测装置,太赫兹波产生方法,太赫兹波检测方法
机译:用太赫兹装置对细胞代谢产物的太赫兹波进行组织灌注,血液凝结和纤维蛋白溶解紊乱的校正
机译:用太赫兹装置通过太赫兹波对细胞代谢产物进行组织灌注,血液凝结和纤维蛋白溶解紊乱的校正
机译:用于太赫兹检测和发射的场效应晶体管中的等离子体激发[用于太赫兹波的产生和检测的场效应晶体管中的等离子体波激发]
机译:使用光电聚合物波导和太赫兹波低损耗熔覆材料的太赫兹波产生装置
机译:用于高性能时域太赫兹系统中太赫兹波产生和检测的大面积等离子光电导纳米天线阵列。
机译:用于太赫兹波调制的二氧化钛光子晶体的紫外激光平版印刷
机译:用于太赫兹政权的稀释 - magenetic半导体(Dms)隧穿装置。