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公开/公告号CN107887396B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 格芯美国公司;
申请/专利号CN201710850373.1
发明设计人 J·福尔;T·卡姆勒;
申请日2017-09-15
分类号H01L27/12(20060101);H01L21/84(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人李峥;于静
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:57:49
机译: FDSOI技术中形成不同厚度的半导体层的工艺
机译: FDSOI技术中形成不同厚度的半导体层的过程
机译: 具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
机译:差分厚度层电阻测量方法,用于测量有机半导体薄膜的接触电阻
机译:超声波沥青捕获方法同时声速度和厚度测量,用于形成腐蚀层的聚合物材料
机译:基于时间的直流电势下降方法,用于评估在碳钢大表面上自然而热地形成的氧化层的厚度
机译:用于形成硅太阳能电池掩埋半导体层的开口的喷墨方法
机译:数字水印的方法:可靠,可逆的水印技术,用于身份验证,安全性和隐私保护。
机译:基于完美匹配层和光谱元素方法的3D量子传输解算器用于半导体纳米器件的仿真
机译:使用MoS2 / SiO2 / Si异质结隧道二极管观察不同原子厚度的MoS2层的半导体带隙对准
机译:具有吸力的层流边界层的近似计算,特别参考不同厚度/弦比的翼型边界层稳定性的吸力要求