用于在FDSOI技术中形成不同厚度的半导体层的方法

摘要

在完全耗尽的SOI晶体管中，可以为不同类型的晶体管提供专门设计的半导体材料，从而例如能够减少需要在适度高的操作电压下操作的晶体管中的热载流子注入。为此，可以选择性地针对一种类型的晶体管应用良好可控的外延生长技术，同时不会过度地影响不同类型晶体管的材料特性的调整。