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用于在测试低压非易失性存储器时提高编程速度的双模式高压电源

摘要

一种双模式高压电源电路,它使用通过一内高压开关(30)连接的一高压(VPP),此高压开关(30)决定一非易失性存储器电路(46)的存储器块是用内部高压电荷泵(20)以第一模式进行编程还是用与内部高压电荷泵平行连接的一外部高压电源,同时以第二模式进行编程。当双模式高压电源电路只用其内部电荷泵高压(VPP)以第一模式运行时,它运行于一低功率、慢速模式,一次只能对一位或两位进行编程,但允许该泵的面积在硅片上只占据较小的面积。当运行于第二模式时,即可以使用外部电源高压时,一次可以同时写入八位或八位以上,从而允许进行快速编程而用不着增加内部电荷泵的尺寸或面积,从而消除了电路要增加空间以及为了增加硅片的面积而要增加的制造成本。

著录项

  • 公开/公告号CN100485809C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-05-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱特梅尔公司;

    申请/专利号CN02826731.1

  • 申请日2002-08-21

  • 分类号G11C16/04(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孟锐

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 16/04 授权公告日:20090506 终止日期:20130821 申请日:20020821

    专利权的终止

  • 2009-05-06

    授权

    授权

  • 2005-07-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-04

    公开

    公开

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