一种Y掺杂赝三元半导体致冷材料及其制备方法

摘要

一种Y掺杂赝三元半导体致冷材料及其制备方法，涉及一种半导体致冷材料及其制备方法。目的解决现有的Bi2Te3基半导体致冷材料在切割过程中容易产生劈裂的问题。Y掺杂赝三元半导体致冷材料的分子式为：(Bi2Te3)(1‑2x)(Sb2Te3)x(Bi2Se3)x‑Y，分子式中x为0.04～0.06。制备：称取钇粉、碲粉、铋粉、锑粉和硒粉混合作为原料；原料进行机械合金化后进行样品真空高温烧结，最后进行热压成型。本发明制备的Y掺杂赝三元半导体致冷材料机械性能大大提高，解决了容易产生劈裂的问题，Y掺杂浓度为1％且200℃热压成型时材料在300K下的ZT值为0.73。本发明适用于制备半导体致冷材料。