赝三元系半导体致冷材料及器件的研制

摘要

研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｓｅ＿３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０￣（－３）／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。