三维存储器件中的具有处于衬底内的导电部分的接触结构及其形成方法

摘要

提供了用于形成三维(3D)存储器件的结构和方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、处于衬底上的存储堆叠体以及垂直地穿过存储堆叠体延伸的源极接触结构。源极接触结构包括处于衬底内并且具有不同于衬底的导电材料的第一源极接触部分。源极接触结构还包括处于第一源极接触部分以上，并且与第一源极接触部分接触并导电连接的第二源极接触部分。