公开/公告号CN110998845A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-10
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201980003394.7
申请日2019-11-22
分类号H01L27/11573(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L23/528(20060101);H01L23/48(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人刘健;张殿慧
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
入库时间 2023-12-17 11:45:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11573 申请日:20191122
实质审查的生效
2020-04-10
公开
公开
机译: 在三维存储器件中具有基板中的导电部分的接触件及其形成方法
机译: 具有连接结构的半导体器件-在衬底表面中具有导电区域的表面部分,其表面粗糙度大于衬底的表面粗糙度
机译: 在三维存储器装置中具有导电部分的接触结构以及用于形成相同的方法