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基于近红外分光计控制光致抗蚀剂剥离过程的方法和再生光致抗蚀剂剥离剂成分的方法

摘要

在对制造半导体装置或液晶显示器的光致抗蚀剂剥离过程进行控制的控制方法中,首先利用NIR分光计对光致抗蚀剂层剥离过程中使用的剥离剂成分进行分析。然后,通过将分析的成分与基准成分进行比较,确定剥离剂的状态。如果剥离剂的寿命已经结束,则利用新剥离剂替换该剥离剂。相反,如果该剥离剂的寿命还没有结束,则将该剥离剂输送到下一个光致抗蚀剂剥离过程。还可以将该分析技术以同样方式应用于光致抗蚀剂剥离剂再生过程。

著录项

  • 公开/公告号CN100474125C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东进半导体化学株式会社;

    申请/专利号CN01811689.2

  • 申请日2001-03-27

  • 分类号G03F7/42(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人关兆辉;张天舒

  • 地址 韩国仁川

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-04-01

    授权

    授权

  • 2003-11-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-08-27

    公开

    公开

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