退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN100474125C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-01
原文格式PDF
申请/专利权人 东进半导体化学株式会社;
申请/专利号CN01811689.2
发明设计人 朴美仙;金钟民;朴兑濬;姜哲佑;任润吉;
申请日2001-03-27
分类号G03F7/42(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人关兆辉;张天舒
地址 韩国仁川
入库时间 2022-08-23 09:02:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-04-01
授权
2003-11-12
实质审查的生效
2003-08-27
公开
机译: 利用近红外光谱仪的光致抗蚀剂剥离过程控制方法的回放方法和光致抗蚀剂剥离液组合物
机译: 基于近红外光谱仪的光阻剥离过程控制及光阻剥离剂的再生方法
机译:Ashland-ACT在光致抗蚀剂剥离剂和蚀刻残留去除剂市场中建立了自己的全球业务
机译:1基于等离子体的图案转移过程中光致抗蚀剂表面改性与原料气成分的选择有关:基于C_4F_8和CF_4的放电比较
机译:一种高效的喷涂方法,具有Cycodextrine散流剥离器,用于去除氧化铟锡表面上的有机光致抗蚀剂
机译:使用新型硫酸/臭氧过程剥离光致抗蚀剂剥离
机译:使用组合的近红外,拉曼,电导率和折射率测量来确定牛奶成分的统计方法。
机译:干膜光致抗蚀剂为基础微制造:制造毫米波波导组分的一种新方法
机译:利用喷涂法影响影响ITO表面光致抗蚀剂剥离过程的因素的数值研究
机译:用于光致抗蚀剂或聚合物的蚀刻方法