公开/公告号CN113162189B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市卓朗微电子有限公司;
申请/专利号CN202110506239.6
发明设计人 朱士强;
申请日2021-05-10
分类号H02J7/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 518000 广东省深圳市龙华区民治街道民康路112号1970科技小镇5栋5楼512
入库时间 2022-08-23 12:53:48
机译: 用于锂电池保护电路的双型功率MOSFET
机译: 功率MOSFET器件,特别是具有溢流自保护开关的功率MOSFET器件的功率感测电阻的集成结构
机译: 大功率MOSFET及其集成控制电路,用于高端开关应用